25x IRLML2803TRPBF N-Channel MOSFET 30V 1.2A SOT-23 Marking BAE42 IR / MOSFET-image

25x IRLML2803TRPBF N-Channel MOSFET 30V 1.2A SOT-23 Marking BAE42 IR / MOSFET

$ 4.31

Ursprungsland: Deutschland Kollektor-Emitter-Spannung: -30 V, 30 V Modell: IRLML2803TRPBF Maßeinheit: Einheit Marke: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: SOT-23 Maximale Kollektor-Basis Spannung: -25 V Maximaler DC Kollektorstrom: 1,2 A model: IRLML2803TRPBF Anzahl der Einheiten: 25

Description

25x IRLML2803TRPBF N-Channel MOSFET 30V 1.2A SOT-23 Marking BAE42 IR / MOSFET. Zum Verkauf stehen 25 Stück N-Kanal MOSFETs IRLML2803TRPBF im kompakten SOT-23 Gehäuse. Typ: IRLML2803TRPBF. Marking: BAE42. Type: IRLML2803TRPBF. Transistortyp: N-Kanal MOSFET. Gehäuse: SOT-23 (Micro3™). Beschreibung (Deutsch): Zum Verkauf stehen 25 Stück N-Kanal MOSFETs IRLML2803TRPBF im kompakten SOT-23 Gehäuse . Ideal für Schaltanwendungen, Low-Power Designs und Logikpegel-Ansteuerung . Produktdetails: Hersteller: Infineon / IR Typ: IRLML2803TRPBF Transistortyp: N-Kanal MOSFET Gehäuse: SOT-23 (Micro3™) Marking: BAE42 Drain-Source-Spannung (Vdss): 30 V Drainstrom (Id): 1,2 A Rds(on): max. 250 mΩ @ 910 mA, 10 V Gate-Schwellspannung (Vgs(th)): max. 1 V Gate-Ladung (Qg): 5 nC @ 10 V Gate-Spannung: ±20 V Eingangskapazität (Ciss): 85 pF @ 25 V Verlustleistung: 540 mW Temperaturbereich: -55°C bis +150°C Montage: SMD Eigenschaften: Logic-Level MOSFET (niedrige Gate-Spannung) Kompakte Bauform Geringe Gate-Ladung für schnelles Schalten Zuverlässige Qualität Anwendungen: Schaltanwendungen Mikrocontroller-Ansteuerung Low-Power Designs Signal- und Laststeuerung Lieferumfang: 25 Stück Zustand: Neu / unbenutzt (Gurtabschnitt) Description (English): For sale are 25 pieces of IRLML2803TRPBF N-channel MOSFETs in compact SOT-23 package . Ideal for switching, low-power applications, and logic-level control . Product details: Manufacturer: Infineon / IR Type: IRLML2803TRPBF Transistor type: N-channel MOSFET Package: SOT-23 (Micro3™) Marking: BAE42 Drain-source voltage (Vdss): 30 V Drain current (Id): 1.2 A Rds(on): max. 250 mΩ @ 910 mA, 10 V Gate threshold voltage (Vgs(th)): max. 1 V Gate charge (Qg): 5 nC @ 10 V Gate voltage: ±20 V Input capacitance (Ciss): 85 pF @ 25 V Power dissipation: 540 mW Operating temperature: -55°C to +150°C Mounting type: SMD Features: Logic-level MOSFET (low gate voltage) Compact package Low gate charge for fast switching Reliable quality Applications: Switching applications Microcontroller interfacing Low-power designs Signal and load control Scope of delivery: 25 pieces Condition: New / unused (cut tape)

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